Código de valores: Shenzhen Wongtee International Enterprise Co.Ltd(000056) , 200056 abreviaturas de valores: Shenzhen Wongtee International Enterprise Co.Ltd(000056)
Anuncio sobre la adquisición de Dexing yifa Power Semiconductor Co., Ltd.
La empresa y todos los miembros del Consejo de Administración garantizarán la veracidad, exactitud y exhaustividad del contenido de la divulgación de información, sin ningún registro falso, declaración engañosa u omisión material.
Resumen de la adquisición
Antecedentes de la adquisición
Con el fin de promover la transformación estratégica de Shenzhen Wongtee International Enterprise Co.Ltd(000056) (en lo sucesivo denominada “la empresa” o Shenzhen Wongtee International Enterprise Co.Ltd(000056) ) y explorar nuevos negocios, la empresa convocó la séptima reunión provisional del noveno Consejo de Administración en 2021 el 3 de agosto de 2021 para examinar y aprobar el proyecto de ley sobre la adquisición de la parte del Fondo de inversión de Dexing yifa Semiconductor Industry (sociedad limitada) para El 4 de agosto de 2021 se publicó el anuncio sobre la adquisición de acciones de Dexing yifa Power Semiconductor Co., Ltd. (número de anuncio: 2021 – 38). El 26 de octubre de 2021, la empresa convocó la 12ª reunión provisional del noveno Consejo de Administración en 2021, examinó y aprobó el proyecto de ley sobre la ampliación de capital de yifa Power y la firma del contrato de ampliación de capital, y el 28 de octubre de 2021 reveló el anuncio sobre el progreso de la inversión en Dexing yifa Power Semiconductor Co., Ltd. (número de anuncio: 2021 – 45). El plan de adquisición de la energía de la intención de inversión se ajustará de la adquisición directa a la filial Shenzhen Huangting Fund Management Co., Ltd. (en lo sucesivo denominada “Huangting Fund”) para aumentar el capital de la energía de la intención de inversión, la empresa a través del Fondo Huangting para aumentar el capital de 50 millones de yuan, por lo que indirectamente posee 133774% de la energía de la intención de inversión.
Resumen de la adquisición
1. En la 12ª reunión provisional de la novena Junta de Síndicos, celebrada el 17 de junio de 2022, se examinaron y aprobaron las propuestas relativas a la firma del Acuerdo de transferencia de acciones, el Acuerdo de acción concertada y el Acuerdo de ejecución del derecho de recompra. El Acuerdo de transferencia de acciones sobre Dexing yifa Power Semiconductor Co., Ltd. (en adelante, el “Acuerdo de transferencia de acciones”) fue firmado recientemente por la filial de propiedad total de la empresa Huangting Fund, Zhou Bing, Ningbo yifa Micro Enterprise Management Partnership (sociedad limitada) (en adelante denominada “Ningbo yifa”) y Dexing yifa Semiconductor Industry Investment Fund (sociedad limitada) (en adelante denominada “el Fondo de inversión de yifa”). Zhuu Bing y Ningbo yifa transfirieron 967285% y 476425% de las acciones al Fondo Huangting, respectivamente, con un precio total de transferencia de 55.610000 y 27.390000 Yuan, respectivamente. La estructura de la propiedad antes y después de la transferencia es la siguiente:
Antes y después de esta transferencia
Contributor
Aportación de capital (10.000 yuan)
Dexing yifa Semiconductor Industry Investment Fund
(Asociación limitada) 2000577484% 2000577484%
Zhu Bing 670 193457% 335 967285%
Ningbo yifa microempresa Management Partnership
(sociedad limitada) 33095285% 165476425%
Shenzhen Huangting Fund Management Co., Ltd. 4632994133774% 9632994278145%
Total 3.4632994100,0% 3.4632994100,0%
2. La filial de propiedad total de la empresa, Huangting Fund y yifa Fund, Dexing Finance y Yang zhongxia firmaron recientemente el Acuerdo de acción concertada. Yifa Investment Fund, Dexing Finance Fund and Yang zhongxia agreed to be consistent with Huangting Fund in the Shareholder meeting and Board of Directors of the target company in the exercise of the right to vote, obtaining the Control of yifa Power, thus Realizing the Financial Statement Consolidation. Dexing Property Finance es el gp del Fondo de inversión de capital privado, y Yang zhongxia es el representante autorizado de Dexing Property Finance. La firma del Acuerdo de acción concertada entre la empresa y los accionistas directos de la empresa no destinataria tiene por objeto determinar mejor el cumplimiento del Acuerdo de acción concertada.
3. En vista de la firma del Acuerdo de recompra entre Zhou Bing y el Fondo de inversión de yifa en marzo de 2019, Zhou Bing tiene el derecho y la obligación de recompra de las acciones de la empresa objetivo mantenidas por el Fondo de inversión de yifa. Huangting Fund and Zhou Bing, yifa Investment Fund, yifa Power recently signed the “Performance of the repo right Agreement”, Through this signature of the “Performance of the repo right Agreement”, Zhou Bing transfers this right and Obligation to the Huangting Fund, the Huangting Fund accordingly obtained the yifa Investment Fund consistent Action relationship and vote right, so as to Achieve the purpose of Control of the company.
Una vez concluida la adquisición, la empresa no ha concertado ningún acuerdo con las nuevas partes vinculadas, salvo en lo que respecta a la adquisición de inversiones. De conformidad con las normas de la bolsa de Shenzhen para la cotización en bolsa, las directrices de la bolsa de Shenzhen para la autorregulación de las empresas que cotizan en bolsa no. 1 – el funcionamiento normal de las empresas que cotizan en bolsa en la Junta Principal y los Estatutos de la sociedad, etc., las cuestiones mencionadas anteriormente están comprendidas en el ámbito de la decisión del Consejo de Administración de la empresa y no deben presentarse a la Junta General de accionistas de la empresa para su examen. Ninguna de las transacciones mencionadas constituye una transacción conexa ni una reorganización importante de activos de conformidad con las medidas administrativas para la reorganización de activos importantes de las empresas que cotizan en bolsa.
Información básica sobre el objeto de la adquisición
Información básica
Nombre de la empresa: Dexing yifa Power Semiconductor Co., Ltd.
Fecha de establecimiento: 22 de octubre de 2018
Capital social: 30 millones de yuan
Dirección: Industrial Park of High and New Technology, Dexing City, Shangrao City, Jiangxi Province
Código unificado de crédito social: 91361100 ma 386 pnw9n
Representante legal: Zhou Bing
Lugar de registro: Shangrao, Provincia de Jiangxi
Accionistas principales y porcentaje de participación:
Proporción de la contribución de los contribuyentes (10.000 yuan)
Dexing yifa Semiconductor Industry Investment Fund (Limited Partnership) 200057,75%
Zhu Bing 670 19,35%
Shenzhen Huangting Fund Management Co., Ltd. 463299413.38%
Ningbo yifa microempresa Management Partnership (LLP) 330 9,53%
Total 3463100,00%
Ámbito de aplicación: diseño, investigación, desarrollo, fabricación, fabricación y transformación tecnológica de dispositivos semiconductores de potencia y dispositivos inteligentes de control de potencia; Vender productos de producción propia; Participar en el comercio al por mayor y la importación y exportación de productos similares.
(los proyectos que deben aprobarse de conformidad con la ley sólo pueden llevarse a cabo con la aprobación de los departamentos pertinentes. De conformidad con la circular del Consejo de Estado de 2020 sobre la publicación de varias políticas para promover el desarrollo de alta calidad de la industria de circuitos integrados y la industria de programas informáticos en la nueva era, no es necesario que los departamentos competentes de las industrias pertinentes examinen y aprueben ni registren procedimientos, y su funcionamiento e inversión se ajustan plenamente a las políticas industriales pertinentes del Estado.
A partir de la fecha de divulgación del presente anuncio, la Potencia intencional no es la person a a la que se ejecutará el incumplimiento de la promesa, la hipoteca u otros derechos de terceros sobre las acciones de la Potencia intencional, ni existen controversias importantes relativas a los activos, litigios o cuestiones de arbitraje, ni existen medidas judiciales Como la incautación, la congelación, etc.
Introducción al fundador de la empresa destinataria
El fundador de yifa Power es el Dr. Zhou Bing, un chino – americano, y el Dr. Zhou Bing es miembro del Grupo de expertos Semicon (China). Ha sido galardonado con el Program a de talentos de la provincia de Jiangsu, liderado por gusu, y tiene más de 30 a ños de experiencia de investigación y trabajo en el campo de dispositivos semiconductores y más de 20 patentes extranjeras en China.
Dr. Zhou Bing. Ha estado trabajando en la empresa estadounidense ir (International rectifier Company) durante 11 años, y ha estado involucrado en el desarrollo y la producción de dispositivos de potencia avanzados como trinchera mos, IGBT y Gan.
El equipo técnico dirigido por el Dr. Zhou Bing ha desarrollado con éxito dos productos de nitruro de galio, HEMT 600v / 10A y 600v / 40a, que se prueban en la carga rápida y la fuente de alimentación de conmutación de teléfonos móviles, respectivamente. En el futuro, se intensificará el desarrollo de una serie de productos de nitruro de galio de 600 v.
Principales actividades y productos de la empresa destinataria
Yifa Power se dedica principalmente al diseño, fabricación y venta de dispositivos semiconductores de potencia y dispositivos inteligentes de control de potencia. La empresa tiene la capacidad de integrar el diseño de chips, la fabricación de obleas y el diseño de módulos. La empresa tiene una línea de producción anual de 240000 obleas de 6 pulgadas. Yifa Power es la primera empresa de fabricación de chips en la provincia de Jiangxi, y es el principal organismo de inversión del Gobierno provincial de Jiangxi en 2018.
Los productos de generación de energía intencional se utilizan ampliamente en la comunicación industrial, la calefacción por inducción industrial, la generación de energía fotovoltaica, la generación de energía eólica, la pila de carga y los nuevos vehículos energéticos.
El plan estratégico de desarrollo de la generación de energía intencional es estabilizar la actual industria de semiconductores de potencia de electrodomésticos blancos, desarrollar activamente el mercado de generación de energía fotovoltaica que ha sido aprobado por los clientes, y utilizar la acumulación de tecnología existente de semiconductores de potencia de carga y descarga para desarrollar activamente el negocio de chips de Control de pilas de carga y chips de control de vehículos eléctricos.
Las principales líneas de productos que se han desarrollado hasta la fecha son las siguientes:
Introducción de la función de aplicación de los productos de tensión y corriente de la escala de obleas de silicio
Fase de pulgada
El tiempo de recuperación inversa de frd es corto (menos de 5 nanosegundos), y su frd (caída de tensión hacia adelante de recuperación rápida es mayor que el diodo común (1 – 2v), la fuente de alimentación de doble interruptor de cristal único compuesto inverso y la resistencia a la tensión de PWM son principalmente inferiores a 1200v. Se utiliza principalmente en el Transistor inversor) / 6 “200 – 1200v 5 – 80A modulador de ancho de pulso de producción en masa, fuente de energía de transformación como elemento rectificador.
Fred (frecuencia rápida, Soldador eléctrico, etc. Fred Reverse Recovery asked generally for several to hundreds of nanoseconds Recovery epitaxial Seconds, Forward Voltage Drop can be Lower To About 0.9v, generally Small diodes) in 2.0v, its Reverse Pressure Resistance is more than 1200v, Se puede utilizar en la frecuencia de conmutación de 20 – 50 kHz.
SBD (alta frecuencia de conmutación de Schott, baja tensión hacia adelante (0,4 – 0,5v), baja tensión de rotura inversa de la serie de barrera básica 26 pulgadas 45 – 200v, corto tiempo de recuperación hacia atrás
Máquina, transformador electrónico,
(10 – 30 nanosegundos), alta capacidad de sobrecorriente, sensor de klystron conmutado, etc.
Alta velocidad, baja pérdida, adecuada para aplicaciones de alta frecuencia
MOSFET (iluminación LED de oro, óxido de metal, inversor, amplificación de carga para aplicaciones de conmutación y señales electrónicas en dispositivos electrónicos, función dependiendo de la variación de la producción de gas de 6 pulgadas de electricidad 500 – 900v 2 – 24A en la anchura del canal y el campo de semiconductores de flujo del portador (agujero o electrón), Motor. La función MOSFET se basa en el condensador mos, que es la parte principal del MOSFET, como el Transistor de efecto, la fuente de alimentación, etc.
Alta resistencia de entrada, baja potencia de conducción, alta resistencia a la tensión, IGBT encendido (aislamiento de 6 pulgadas y 8 fuentes de alimentación de conmutación, alta velocidad de apagado de conversión de frecuencia,
