Código de valores: Roshow Technoiogy Co.Ltd(002617) abreviatura de valores: Roshow Technoiogy Co.Ltd(002617) Roshow Technoiogy Co.Ltd(002617)
Utilización de los fondos recaudados mediante la emisión no pública de acciones en 2021
Informe de análisis de viabilidad (revisado)
Abril de 2002
Plan de utilización de los fondos recaudados
Se prevé que el importe total de los fondos recaudados para esta oferta no pública no supere los 256745 millones de yuan (incluidos estos fondos), y que el importe neto de los fondos recaudados después de deducir los gastos de emisión se invierta en los siguientes proyectos:
Unidad: 10.000 yuan
Nombre del proyecto número de uso del Fondo recaudado
1 proyecto de parque industrial de semiconductores de potencia de tercera generación (sic) 21 Shenzhen Cereals Holdings Co.Ltd(000019) 4000
Proyecto del Centro de investigación y desarrollo de sustratos de carburo de silicio de gran tamaño 50 000 50 000
3 liquidez complementaria 1274512745
Total 272745256745
Nota: en el uso de los fondos recaudados, se ha deducido el importe de los proyectos de inversión que se han puesto en marcha antes de la resolución del Consejo de Administración de la oferta no pública, as í como el importe de las nuevas inversiones y las inversiones financieras previstas entre los seis meses anteriores a la resolución del Consejo de Administración y antes de la emisión, y el importe total mencionado no excederá de 16 millones de yuan.
El importe total de la inversión del proyecto es superior al importe de los fondos recaudados que la empresa tiene previsto invertir en este proyecto. Al mismo tiempo, si la cantidad neta real de fondos recaudados después de deducir los gastos de emisión es inferior a la cantidad utilizada en el proyecto de inversión de fondos recaudados, la empresa invertirá en el proyecto de inversión de fondos recaudados de acuerdo con las prioridades del proyecto, y la parte insuficiente se resolverá mediante la autofinanciación de la empresa.
Sin cambiar el proyecto de inversión de capital recaudado, el Consejo de Administración de la empresa ajustará el orden y la cantidad de inversión de capital recaudado para el proyecto mencionado de acuerdo con las necesidades reales del proyecto. Antes de la colocación de los fondos recaudados mediante la emisión de acciones no públicas, la empresa invertirá los fondos recaudados por sí misma de acuerdo con la situación real del progreso del proyecto y los reemplazará después de la colocación de los fondos recaudados.
II. Detalles de los proyectos de inversión de los fondos recaudados mediante la oferta no pública de acciones
Proyecto de parque industrial de semiconductores de potencia de tercera generación (sic)
1. Información básica del proyecto
El proyecto fue organizado e implementado por la subsidiaria Holding Hefei lurao Semiconductor Materials Co., Ltd. (en adelante “Hefei lurao”), con un período de construcción de 24 meses. El sitio de construcción es la esquina sureste de la intersección de Shuangfeng Road y Yingzhou Road en la ciudad de shuangdun, Condado de Changfeng, ciudad de Hefei, Provincia de Anhui. Con una mayor conductividad térmica, una mayor saturación electrónica y una mayor resistencia a la radiación, se formará una capacidad de producción anual de 240000 sustratos conductores de carburo de silicio de 6 pulgadas. El proyecto desempeñará un papel importante en la satisfacción de la demanda del mercado de sustrato de carburo de silicio de rápido crecimiento en el extranjero y en la promoción de la calidad y el rendimiento del sustrato.
2. Necesidad de la ejecución del proyecto
El proyecto se ajusta a la política industrial nacional y a la dirección del desarrollo industrial
El material semiconductor de banda ancha es el material estratégico clave para el desarrollo de la política industrial China. El material de sustrato SIC de 6 pulgadas que se producirá en este proyecto es un nuevo material que se necesita con urgencia en el campo de aplicación clave de la planificación industrial nacional. Como material básico de semiconductores de tercera generación, la aplicación del carburo de silicio en campos específicos tiene ventajas obvias y amplias perspectivas, y pertenece a los campos clave apoyados por la política industrial China. El apoyo de la política industrial nacional promueve el avance de los cuellos de botella de la tecnología de materiales semiconductores de banda ancha, aumenta la capacidad de investigación y desarrollo de la empresa china de semiconductores de banda ancha y mejora la competitividad general de la industria.
Con el continuo progreso de la tecnología de la empresa, la calidad de los productos de obleas de cristal de carburo de silicio está mejorando constantemente, la empresa tiene la capacidad de ampliar la capacidad de producción para promover la sustitución de materiales de sustrato de carburo de silicio en China, el proyecto se ajusta a la política industrial nacional y La Dirección de desarrollo de la industria.
La ejecución del proyecto puede aliviar la Dependencia del mercado descendente de las importaciones extranjeras de materiales de carburo de silicio
De acuerdo con el catálogo de productos y servicios clave de la industria emergente estratégica (edición 2016) publicado por la Comisión Nacional de desarrollo y reforma, el carburo de silicio y otros materiales de función electrónica se incluyen en el catálogo de productos clave de la industria emergente estratégica. De acuerdo con la “Guía para el desarrollo de la industria de nuevos materiales” publicada conjuntamente por el Ministerio de Industria y tecnología, la Comisión Nacional de desarrollo y reforma, el Ministerio de Ciencia y tecnología y el Ministerio de Finanzas en diciembre de 2016, los materiales semiconductores de banda ancha son “materiales estratégicos clave” para fomentar El desarrollo, y los cristales de carburo de silicio de gran tamaño son “nuevos materiales necesarios para romper las áreas de aplicación clave”. Además, tras el 12º plan quinquenal y el 13º plan quinquenal, los semiconductores sic se incluyeron una vez más en las principales esferas de apoyo del 14º plan quinquenal en marzo de 2021.
Como materia prima clave para la fabricación de dispositivos semiconductores de banda ancha, el umbral tecnológico para la fabricación de sustratos de carburo de silicio es alto, por lo que los fabricantes de sustratos de carburo de silicio de 6 pulgadas que pueden suministrar constantemente a los clientes de las empresas chinas son relativamente limitados. En los últimos años, el suministro de materias primas de los fabricantes chinos de dispositivos de carburo de silicio se ha visto limitado en gran medida por la situación económica, como el entorno comercial entre China y los Estados Unidos. El aumento de la tasa de localización de los materiales de sustrato SIC y la sustitución de las importaciones son los cuellos de botella de la industria china de semiconductores de banda ancha.
A través de una mayor optimización de la tecnología de procesamiento, el proyecto formará una capacidad de producción anual de 240000 chips de sustrato de carburo de silicio conductor de 6 pulgadas, que puede lograr un suministro estable por lotes a los clientes aguas abajo y aliviar la necesidad urgente de materiales de sustrato de carburo de silicio en el mercado aguas abajo.
Enriquecer la línea de productos de la empresa, mejorar la competitividad básica de la empresa y ampliar el nuevo punto de crecimiento de los beneficios
Debido a la influencia de la macroeconomía fuera de China, la competencia de la industria en la que opera la empresa se intensifica continuamente, y la demanda descendente de la industria es incierta. El precio de los materiales aguas arriba se ve afectado por múltiples factores internacionales y chinos, y la fluctuación de los precios es grande, lo que tiene cierta influencia en la gestión. Sólo ajustando continuamente la estructura de los productos, desarrollando activamente nuevos productos, reduciendo los costos mediante la transformación tecnológica y la mejora de la gestión, formando ventajas diferenciadas con los competidores mediante la innovación, aumentando la competitividad del mercado y aprovechando las ventajas de la marca, la tecnología y la escala de la sonrisa, la empresa puede mantener El nivel de liderazgo de China.
Con el fin de satisfacer las necesidades de desarrollo continuo de la empresa, la empresa desarrolla la nueva industria estratégica de la empresa con la nueva tecnología y el nuevo producto, la empresa ha desarrollado con éxito el equipo de cristal largo de carburo de silicio con el apoyo de la tecnología de producción de zafiro original, y el capital recaudado de la oferta pública de acciones se utiliza principalmente para invertir en la producción de material de cristal de carburo de silicio y la construcción de un centro de investigación y desarrollo de sustrato de carburo de silicio de gran tamaño, la empresa seguirá centrándose en la industria de cristal de semiconductores de tercera generación. Ampliar la aplicación del carburo de silicio en los nuevos vehículos energéticos, las comunicaciones 5G, la generación de energía fotovoltaica, el transporte ferroviario, la red inteligente, la aviación y el espacio, etc.
La empresa puede enriquecer los tipos y especificaciones de los productos, mantener la competitividad del mercado y sentar una base sólida para el crecimiento futuro del rendimiento.
3. Viabilidad de la ejecución del proyecto
Las amplias perspectivas de mercado proporcionan una buena base de mercado para la ejecución del proyecto.
En la actualidad, el carburo de silicio se utiliza ampliamente en el campo de la electrónica de potencia de más de 600 voltios, como la fuente de alimentación FPC, el inversor fotovoltaico, el controlador de motor de los vehículos de nueva energía, el cargador de automóviles, el DC – DC y la pila de carga, y el material se utilizará cada vez más en los electrodomésticos blancos, el transporte ferroviario, el equipo médico, la industria de defensa nacional, etc. Según las previsiones de la Organización de investigación industrial yole Development (yole), el mercado de semiconductores de potencia sic alcanzará un valor de producción de 2.562 millones de dólares para 2025, con una tasa de crecimiento anual compuesto del 29,59% entre 2019 y 2025. Por lo tanto, las amplias perspectivas de mercado proporcionan una buena base de mercado para la ejecución del proyecto.
Tendencias de desarrollo del carburo de silicio en 2019 – 2025
Fuente: yole Development (yole) (11 / 2020)
Según los datos del IHS, se espera que la demanda mundial de dispositivos de carburo de silicio alcance los 1.644 millones de dólares de los EE.UU. En 2023, y que la tasa de crecimiento compuesto sea de aproximadamente el 26,6% entre 2017 y 2023. Los principales escenarios de aplicación aguas abajo incluyen ev, pila de carga rápida, fuente de alimentación UPS (comunicación), fotovoltaica, transporte ferroviario e industria militar aeroespacial, entre los que se espera que la industria de vehículos eléctricos dé la bienvenida a un rápido estallido, comunicaciones, fotovoltaica y otros mercados más grandes. Con la disminución de los costos de los dispositivos de carburo de silicio, se espera que las ventajas de rendimiento de los costos del ciclo de vida se amplíen continuamente y que el potencial de sustitución sea enorme.
Ejecución de proyectos de apoyo a las políticas industriales nacionales pertinentes
En la actualidad, China ha formulado una serie de políticas de apoyo a la industria y planes de desarrollo industrial para la industria de semiconductores. Tras el 12º plan quinquenal y el 13º plan quinquenal, los semiconductores sic se han incluido una vez más en las principales esferas de apoyo del 14º plan quinquenal.
En julio de 2012, el Consejo de Estado publicó el “12º plan quinquenal de desarrollo de la industria estratégica nacional emergente” para el 12º plan quinquenal de la industria electrónica básica de China, en el que se proponía el objetivo general de desarrollo. Realizar el desarrollo simultáneo de la próxima generación de dispositivos de visualización y el nivel internacional avanzado; Los nuevos componentes clave satisfacen las necesidades del mercado chino y son competitivos a nivel internacional. Los instrumentos, equipos y materiales electrónicos especiales satisfacen básicamente las necesidades de China y forman la competencia básica.
En marzo de 2016, las dos conferencias nacionales emitieron el “13º plan quinquenal”, dirigido a la industria de dispositivos de potencia: fortalecer la interacción con la industria de máquinas completas, promover el desarrollo de dispositivos con el mercado, impulsar la fabricación con el diseño y promover el desarrollo del modo de funcionamiento “IDM virtual”; Construir el Centro Nacional de investigación y desarrollo de dispositivos de potencia semiconductores, realizar la investigación y el desarrollo de toda la cadena industrial de “materiales – dispositivos – obleas – embalaje – Aplicación”; Desarrollar vigorosamente la industria nacional IGBT y promover la aplicación de dispositivos SIC y Gan.
En marzo de 2021, la cuarta sesión del 13º Congreso Popular Nacional examinó y aprobó el 14º plan quinquenal de desarrollo económico y social nacional de la República Popular China y el esbozo de objetivos a largo plazo para 2035, en el que se indicaba que la concentración de los recursos ventajosos para abordar las tecnologías básicas fundamentales, incluidas las herramientas de diseño de circuitos centralizados, el equipo clave y el objetivo de alta pureza, la investigación y el desarrollo de materiales clave, la tecnología avanzada de circuitos centralizados y el Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT), El sistema micro – electromecánico (MEMS) y otros avances tecnológicos característicos, la mejora de la tecnología de almacenamiento avanzada, el carburo de silicio, el desarrollo de semiconductores de banda ancha de nitruro de galio. La empresa ha poseído el talento, la tecnología, el mercado y otras condiciones necesarias para la ejecución del proyecto.
En cuanto a la acumulación y reserva de talentos, la empresa cuenta con el Instituto Provincial de investigación de Zhejiang, la estación de trabajo de investigación post – doctoral, el Centro Tecnológico provincial y otras plataformas, tiene un excelente equipo de I + D, ha emprendido proyectos nacionales y provinciales de planificación científica y tecnológica y ha ganado premios Científicos y tecnológicos a todos los niveles. A finales de septiembre de 2021, la empresa había participado en la revisión de 48 normas nacionales / industriales, con casi 20 logros científicos y tecnológicos líderes en China, una profunda acumulación de tecnología y una rica reserva de talentos. El Dr. Chen zhizhan, un experto en el crecimiento de cristales de carburo de silicio en China, ha sido reservado. El Dr. Chen zhizhan comenzó a estudiar el crecimiento de cristales de carburo de silicio en 1998 y tiene 23 años de experiencia. El Dr. Chen zhizhan ha trabajado durante mucho tiempo en el Instituto de silicato de Shanghái de la Academia China de ciencias. Ha sido investigador asistente, Investigador Asociado e investigador, y ahora es investigador, profesor y científico jefe de la Universidad Normal de Shanghái. El Dr. Chen zhizhan tomó la iniciativa en la investigación sobre el crecimiento y el procesamiento de cristales de carburo de silicio en China con un presupuesto de investigación de más de 100 millones de yuan. Ayudó a construir la primera línea piloto completa de crecimiento y procesamiento de cristales de carburo de silicio en China. Publicó más de 100 artículos, más de 50 patentes autorizadas y una monografía.
En cuanto a la acumulación de tecnología, la empresa ha acumulado una gran cantidad de experiencia en la producción de horno de cristal largo de zafiro durante el diseño del negocio de zafiro. Debido a la similitud entre el crecimiento de cristal de zafiro y el crecimiento de cristal de carburo de silicio, la empresa también tiene una fuerte fuerza en horno de cristal largo de crecimiento de cristal de carburo de silicio. Con su profunda acumulación en el negocio del Zafiro, la empresa ha roto a través de varias tecnologías clave de horno de carburo de silicio y enlace de cristal largo. En la actualidad, la empresa ha dominado el crecimiento de cristales de carburo de silicio, el procesamiento, el Corte, la molienda, el pulido, la solución integral de lavado y el plan de proceso, el índice de productos en el nivel líder de la industria, especialmente romper a través del crecimiento de cristales de alta calidad, El procesamiento de orientación de cristal de alta precisión, el procesamiento de superficie de daño cercano cero, el control de la contaminación de la superficie, el procesamiento de alta precisión geométrica, la eliminación del estrés de la superficie y otras tecnologías clave.
Además, la empresa tiene algunas ventajas en el mercado y la marca. Lu Xiao Brand se ha convertido en una marca de alta visibilidad en la industria, la marca y los recursos de los clientes son los activos intangibles más importantes de la empresa, Lu Xiao marca de alambre esmaltado fue nombrado “Zhejiang Brand”, Lu Xiao marca fue reconocida como la famosa marca de la provincia de Zhejiang. La empresa siempre se adhiere a la orientación de valor de las necesidades de los clientes, para asegurar que los productos se ajusten a las necesidades de los clientes, y con las conocidas empresas extranjeras de China Samsung, LG, embraco, Emerson, midea, Zhengtai, changhong, Haier, refrigeración Qianjiang han establecido una buena relación de cooperación, con ricos recursos de clientes. En cuanto al campo de negocio del carburo de silicio, la empresa ha llevado a cabo la verificación de muestras de clientes descendentes y el trabajo de ventas sustantivas de productos sobre la base del mercado anterior y el cultivo de clientes. En la actualidad, la empresa ha establecido relaciones comerciales sustantivas con muchos clientes importantes.
En resumen, la empresa tiene el talento, la tecnología, el mercado y otras condiciones necesarias para la ejecución del proyecto.
Apoyo firme de los gobiernos locales a todos los niveles en la ejecución de los proyectos
El sitio de construcción del proyecto es el alcalde de Hefei
