Roshow Technoiogy Co.Ltd(002617) Private Issue

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El material semiconductor de banda ancha es el material estratégico clave que la política industrial de China fomenta el desarrollo. El umbral tecnológico de la fabricación de material de sustrato de carburo de silicio es alto, y los fabricantes de sustrato de carburo de silicio de 6 pulgadas que China puede suministrar a los usuarios de la empresa son relativamente limitados.

Debido a la influencia de la situación económica internacional, el suministro de materias primas de los fabricantes chinos de dispositivos de carburo de silicio se ha visto limitado en gran medida en los últimos años. El aumento de la tasa de localización de los materiales de sustrato SIC y la sustitución de las importaciones son los cuellos de botella de la industria china de semiconductores de banda ancha.

It is reported that the project will form a production capacity of 2400006 Inch Conductive sic Substrates annually. Roshow Technoiogy Co.Ltd(002617) \ Con la continua inversión en I + D de la empresa, la tecnología de sustrato de carburo de silicio conductor de 6 pulgadas está madurando, la producción aumentará constantemente, y se espera que sea el primer proveedor a gran escala de sustrato conductor de 6 pulgadas en China.

Según los datos del IHS, se espera que la demanda mundial de dispositivos de carburo de silicio alcance los 1.644 millones de dólares de los EE.UU. En 2023, y que la tasa de crecimiento compuesto sea de aproximadamente el 26,6% entre 2017 y 2023. Los principales escenarios de aplicación aguas abajo incluyen ev, pila de carga rápida, fuente de alimentación UPS (comunicación), fotovoltaica, transporte ferroviario e industria militar aeroespacial, entre los que se espera que la industria de vehículos eléctricos dé la bienvenida a un rápido estallido, comunicaciones, fotovoltaica y otros mercados más grandes. Con la disminución de los costos de los dispositivos de carburo de silicio, se espera que las ventajas de rendimiento de los costos del ciclo de vida se amplíen continuamente y que el potencial de sustitución sea enorme.

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